NBD-O1200-TS3-4ZD-PE 三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)

三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)，是一種先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、微電子、光電子、太陽能等領(lǐng)域。該系統(tǒng)通過射頻電源將石英真空室內(nèi)的氣體轉(zhuǎn)變?yōu)殡x子態(tài)，利用等離子體中的高能電子激活反應(yīng)氣體，使其在較低的溫度下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在基材上沉積出所需的薄膜。

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三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)設(shè)備特點(diǎn)：

      1、溫度控制精準(zhǔn)：三溫區(qū)設(shè)計(jì)使得系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更精準(zhǔn)的溫度控制，滿足不同材料和工藝對(duì)溫度的需求。通過三個(gè)PID溫度控制器，可以分別控制不同區(qū)域的溫度，確保整個(gè)沉積過程在理想的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。

  2、沉積速度快：相比傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)，PECVD系統(tǒng)具有更高的沉積速率。這主要得益于等離子體的作用，使得反應(yīng)氣體在較低的溫度下就能發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而加快了沉積速度。

膜層均勻性好：通過射頻電源的頻率控制，可以精確調(diào)節(jié)所沉積薄膜的應(yīng)力大小，從而保證膜層的均勻性和一致性。這種精確控制對(duì)于制備高質(zhì)量、高性能的薄膜材料至關(guān)重要。

  3、操作穩(wěn)定性高：三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)采用先進(jìn)的真空系統(tǒng)和多通道質(zhì)子混氣系統(tǒng)，確保了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。在長時(shí)間運(yùn)行過程中，系統(tǒng)能夠保持穩(wěn)定的沉積速率和膜層質(zhì)量，滿足大規(guī)模生產(chǎn)的需求。

  4、應(yīng)用廣泛：該系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于生長納米線、石墨烯及薄膜材料等領(lǐng)域。例如，在太陽能電池領(lǐng)域，PECVD技術(shù)被用于制備高質(zhì)量的硅基薄膜太陽能電池；在微電子領(lǐng)域，PECVD技術(shù)被用于制備各種薄膜材料，如SiO2、SiNx等。
三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)配置參數(shù)：

規(guī)格型號(hào)①	NBD-O1200-TS3-4ZD-PE
名稱①	CVD系統(tǒng)
供電電源	380V 50HZ
Tmax	1200℃
額定溫度	1150℃
觸摸屏尺寸	7"
溫區(qū)尺寸	200+200+200mm（三溫三控）
加熱額定功率	9KW
傳感器類型	K型熱電偶
爐管材質(zhì)及尺寸	石英管Φ80*1400mm
推薦升溫速率	≤10/min
機(jī)械泵抽氣速率	6立方米每小時(shí) KF25
爐腔極限真空度	3~5Pa 配數(shù)顯真空計(jì)
進(jìn)氣系統(tǒng)	四路質(zhì)量流量控制器100sccm 200sccm 500sccm 500sccm
爐體外形尺寸	長1488*高1275*深760mm
規(guī)格型號(hào)②	RF-500W
名稱②	等離子發(fā)生器
射頻頻率	13.56MHz
射頻功率輸出范圍	0-500W可調(diào)
外形尺寸	長275mm×高380mm×深430mm
射頻功率	500W

三溫區(qū)PECVD系統(tǒng)服務(wù)支持：一年有限保修，提供終身支持
本頁產(chǎn)品地址：http://m.bhxfsw.cn/sell/show-9569566.html