提交詢價信息 |
發(fā)布緊急求購 |
價格:電議
所在地:北京
型號:
更新時間:2022-03-01
瀏覽次數(shù):3288
公司地址:北京市昌平區(qū)回龍觀西大街115號龍冠大廈3樓
王新波(先生)
高速Mapping橢偏儀(適用透明基板)ME-210-T
橢偏儀適用透明基板的高速Mapping橢偏儀 ···可測量透明基板上的光阻膜及配向膜分布
橢偏儀,膜厚測量儀,光學膜厚測量儀橢偏儀為一種光學系膜厚測量裝置,膜厚測量儀這個裝置的特點是可以測量1nm一下的薄膜,也適合測量玻璃等透明基板上的薄膜。
ME-210-T 活用了本公司特有的偏光Senor 技術(shù),將不能變?yōu)榭赡埽酝募夹g(shù)是無法測量0.5mm厚的玻璃基板,在這項技術(shù)下,可進行薄膜的測量,舉例來說顯示器用的ITO膜或配向膜的評估,也可運用ME-210-T 輕松達成。
ME-210-T的膜厚分布資料,膜厚測量儀定會對的薄膜產(chǎn)品的生產(chǎn)有大的用途。
ME-210-T膜厚測量儀的特點
1, 的測量速度(每分約1000點:)可短時間內(nèi)取得高密度的面分布數(shù)據(jù)。
2, 微小領(lǐng)域量測(20un左右)可簡單鎖定&測量任一微小區(qū)域。
3, 可測量透明基板
適用于解析玻璃基板上的薄膜
膜厚測量儀的測量實例
涂布膜邊緣擴大測量
可階段性擴大微小領(lǐng)域,然后獲得詳細的膜厚分布數(shù)據(jù)
GaAs Wafer 上酸化膜厚的分布測量
縮小膜厚顯示范圍,膜厚差距不大的樣品,也可以簡單評估、比較其分布狀況
膜厚測量儀的設(shè)備參數(shù)
項目 |
規(guī)格 |
光源 |
半導體激光(636nm、class2) |
zui小測量領(lǐng)域 |
廣域模式:0.5mm×0.5mm |
高精細模式:5.5um×5.5um |
|
入射角 |
70『deg』 |
測量再現(xiàn)性 |
膜厚:0.1nm 折射率:0.001 ※1 |
zui大測量速度 |
1000point/min(廣域模式) |
5000point/min(高模式) |
|
載物臺 |
行程:XY200mm以上 zui大移動速度:約40mm/scc |
尺寸/重量 |
約650×650×1740mm(W×D×H)/約200kg |
電源 |
AC100V |
備注 |
※1:此數(shù)值是以廣域模式測量SiO2膜(膜厚約100mm)其中一點,重復測量100次后的標準偏差值 |