產(chǎn)品簡介:
ETSys-Map-PV是針對(duì)高端薄膜太陽電池研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域中大面積樣品檢測專門設(shè)計(jì)的在線薄膜測量系統(tǒng)。
ETSys-Map-PV用于對(duì)1.4m * 1.1m及以上的大面積薄膜太陽電池樣品進(jìn)行在線檢測?？蓽y量光滑平面或粗糙表面基底上的納米薄膜，包括單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；并可同時(shí)測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k?？蓽y量樣品上區(qū)域的樣品參數(shù)以及樣品表面的均一性分布。
ETSys-Map-PV融合量拓科技在激光橢偏儀及光伏在太陽能電池領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面的經(jīng)驗(yàn)，性能。
特點(diǎn):
大面積絨面樣品上全表面測量
可對(duì)大面積絨面薄膜太陽電池樣品上各點(diǎn)的性質(zhì)進(jìn)行分析和比較。的光能量增強(qiáng)技術(shù)、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號(hào)處理方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)粗糙表面散射為主和低反射率為特征的絨面太陽電池表面鍍層的高靈敏檢測。
微米量級(jí)的積掃描精度
的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能夠使探頭到達(dá)樣品上每個(gè)點(diǎn)，掃描精度達(dá)到微米量級(jí)。
原子層量級(jí)的膜厚分析精度
采用非接觸、無破壞性的橢偏測量技術(shù)，對(duì)納米薄膜達(dá)到高的測量準(zhǔn)確度和靈敏度，膜厚測量靈敏度可達(dá)到0.05nm。
簡單方便安全的儀器操作
用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進(jìn)行測量設(shè)置。
應(yīng)用:
ETSys-Map-PV適合于要求的薄膜太陽電池研發(fā)和質(zhì)量控制。
ETSys-Map-PV可用于測量大面積的薄膜太陽電池樣品上單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；
ETSys-Map-PV可用于測量塊狀材料的折射率n及消光系數(shù)k；
ETSys-Map-PV可應(yīng)用于：
大面積薄膜太陽電池基底的材料測量
薄膜太陽電池玻璃基底上透明導(dǎo)電氧化物（TCO）鍍膜測量
技術(shù)指標(biāo):
項(xiàng)目
技術(shù)指標(biāo)
徐州橢圓偏振測厚儀,激光橢偏儀,上門服務(wù)多種型號(hào)圖片
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| 型號(hào):JX200098EM12 精致型多入射角激光橢偏儀 |
型號(hào):JX200087ES01 快速攝譜式自動(dòng)變角度光譜橢偏儀 |
型號(hào):JX200092ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統(tǒng) |
【溫馨提示】
本公司產(chǎn)品因產(chǎn)品種類繁多，詳細(xì)配置價(jià)格請(qǐng)致電咨詢！
[河北德科機(jī)械科技有限公司]——是集科研、開發(fā)、制造、經(jīng)營于一體，的工程試驗(yàn)儀器專業(yè)制造實(shí)體。公司主要經(jīng)營砼混凝土儀器,水泥試驗(yàn)儀器,砂漿試驗(yàn)儀器,泥漿試驗(yàn)儀器,土工試驗(yàn)儀器,瀝青試驗(yàn)儀器,公路集料儀器,防水材料儀器,公路巖石儀器,路面試驗(yàn)儀器,壓力試驗(yàn)機(jī)養(yǎng)護(hù)室儀器及實(shí)驗(yàn)室耗材等上百種產(chǎn)品。
在以雄厚的技術(shù)底蘊(yùn)在強(qiáng)化開發(fā)的同時(shí)，積采用外技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，尋求推進(jìn)與大專院校，科研單位的協(xié)作互補(bǔ)，以實(shí)現(xiàn)新產(chǎn)品開發(fā)的高起點(diǎn)，在交通部、建設(shè)部及科研所們的指導(dǎo)下，產(chǎn)品不斷完善，不斷更新。已廣泛用于建材，建筑施工，道橋建設(shè)，水電工程和機(jī)械，交通、石油、化工等領(lǐng)域的質(zhì)量檢測。并同外各試驗(yàn)儀器廠建立了長期合作關(guān)系，嚴(yán)把質(zhì)量關(guān)，價(jià)格更優(yōu)惠！
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【關(guān)于合作】
我們本著精益求精、經(jīng)銷誠實(shí)守信、服務(wù)熱情周到的服務(wù)宗旨和協(xié)助伙伴成就事業(yè)從而成就自己的事業(yè)的立業(yè)精神，為客戶提供的品質(zhì)和服務(wù)。因產(chǎn)品種類多 沒有一一上傳,如有需要,請(qǐng)聯(lián)系我們。
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徐州橢圓偏振測厚儀,激光橢偏儀,上門服務(wù)
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徐州橢圓偏振測厚儀,激光橢偏儀,上門服務(wù)多種型號(hào)內(nèi)容
型號(hào):JX200098EM12 精致型多入射角激光橢偏儀
EM12是采用量拓科技的測量技術(shù)，針對(duì)中端精度需求的研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的精致型多入射角激光
橢偏儀。
EM12可在單入射角度或多入射角度下對(duì)樣品進(jìn)行準(zhǔn)確測量?？捎糜跍y量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；也可用于同時(shí)測
量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；亦可用于實(shí)時(shí)測量納米薄膜動(dòng)態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了納米薄膜的厚度測量。
EM12采用了量拓科技多項(xiàng)。
特點(diǎn)：
次納米量級(jí)的高靈敏度
的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測量薄納米薄膜，膜厚精度可達(dá)到0.2nm。
1.6秒的快速測量
水準(zhǔn)的儀器設(shè)計(jì)，在保證精度和準(zhǔn)確度的同時(shí)，可在1.6秒內(nèi)快速完成一次測量，可對(duì)納米膜層生長過程進(jìn)行測量。
簡單方便的儀器操作
用戶只需一個(gè)
按鈕即可完成復(fù)雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進(jìn)行測量設(shè)置。
應(yīng)用：
EM12適合于中端精度要求的科研和工業(yè)環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。
EM12可用于測量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；可用于同時(shí)測
量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k；可用于實(shí)時(shí)測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。
EM12可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽
電池、
光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、
磁質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應(yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。
技術(shù)指標(biāo):
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項(xiàng)目
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技術(shù)指標(biāo)
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儀器型號(hào)
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EM12
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激光波長
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632.8nm (He-Ne Laser)
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膜厚測量重復(fù)性（1）
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0.2nm (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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折射率測量重復(fù)性（1）
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2x10-3 (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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單次測量時(shí)間
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與測量設(shè)置相關(guān)，典型1.6s
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的膜層范圍
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透明薄膜可達(dá)4000nm
吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關(guān)
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光學(xué)結(jié)構(gòu)
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PSCA（Δ在0°或180°附近時(shí)也具有高的準(zhǔn)確度）
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激光光束直徑
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1-2mm
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入射角度
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40°-90°可手動(dòng)調(diào)節(jié)，步進(jìn)5°
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樣品方位調(diào)整
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Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm
二維俯仰調(diào)節(jié)：±4°
樣品對(duì)準(zhǔn)：光學(xué)自準(zhǔn)直和顯微對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
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樣品臺(tái)尺寸
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平面樣品直徑可達(dá)Φ170mm
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外形尺寸
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887 x 332 x 552mm (入射角為90º時(shí))
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儀器重量（凈重）
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25Kg
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選配件
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水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺(tái)
真空吸附泵
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軟件
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ETEM軟件：
l 中英文界面可選；
l 多個(gè)預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用；
l 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合；
l 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出
l 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持
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注：(1)測量重復(fù)性：是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測量25次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。
性能保證:
- 穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、的采樣方法，保證了高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度
- 的光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng)，保證了快速、的樣品方位對(duì)準(zhǔn)
- 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠的樣品方位對(duì)準(zhǔn)，結(jié)合的采樣技術(shù)，保證了快速、穩(wěn)定測量
- 分立式的多入射角選擇，可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和厚度的測量
- 一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高，并節(jié)省空間
- 一鍵式軟件設(shè)計(jì)以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫，方便用戶使用
- 可選配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標(biāo)片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標(biāo)片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
樣品池
欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光譜橢偏儀
來源網(wǎng)址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200098.html
EM12 精致型多入射角激光橢偏儀
型號(hào):JX200087ES01 快速攝譜式自動(dòng)變角度光譜橢偏儀
ES01是針對(duì)科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測量推出的全自動(dòng)光譜橢偏儀，系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見到紅外。
ES01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，厚度）和物理參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k），也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。
ES01系列光譜橢偏儀適合于對(duì)樣品進(jìn)行實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測。
特點(diǎn)：
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原子層量級(jí)的檢測靈敏度
的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級(jí)的納米薄膜，膜厚精度達(dá)到0.05nm。
-
秒級(jí)的快速測量
快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號(hào)探測、自動(dòng)化的測量軟件，在保證和準(zhǔn)確度的同時(shí)，10秒內(nèi)快速完成一次全光譜橢偏測量。
-
一鍵式儀器操作
對(duì)于常規(guī)操作，只需鼠標(biāo)點(diǎn)擊一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的測量、建模、擬合和分析過程，豐富的模型庫和材料庫也同時(shí)方便了用戶的操作需求。
應(yīng)用：
ES01系列尤其適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)。
ES01系列多種光譜范圍可滿足不同應(yīng)用場合。比如：
- ES01V適合于測量電介質(zhì)材料、無定形半導(dǎo)體、聚合物等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測。
- ES01U適合于很大范圍的材料種類，包括對(duì)介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體的臨界點(diǎn)，這對(duì)于測量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級(jí)到10微米左右）。
ES01系列可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。典型應(yīng)用如：
- 半導(dǎo)體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
- 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
- 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
- 生物和化學(xué)工程：有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
ES01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：
技術(shù)指標(biāo)：
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項(xiàng)目
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技術(shù)指標(biāo)
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光譜范圍
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ES01V：370-1000nm
ES01U：245-1000nm
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光譜分辨率
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1.5nm
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單次測量時(shí)間
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典型10s,取決于測量模式
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準(zhǔn)確度
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δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04°
（透射模式測空氣時(shí)）
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膜厚測量重復(fù)性（1）
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0.05nm (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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折射率精度（1）
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1x10-3 (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
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入射角度
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40°-90°自動(dòng)調(diào)節(jié)，重復(fù)性0.02°
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光學(xué)結(jié)構(gòu)
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PSCA（Δ在0°或180°附近時(shí)也具有高的準(zhǔn)確度）
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樣品臺(tái)尺寸
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可放置樣品尺寸：直徑170 mm
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樣品方位調(diào)整
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高度調(diào)節(jié)范圍：0-10mm
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二維俯仰調(diào)節(jié)：±4°
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樣品對(duì)準(zhǔn)
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光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
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軟件
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•多語言界面切換
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•預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用
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•安全的權(quán)限管理模式（管理員、操作員）
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•方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫
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•豐富的模型數(shù)據(jù)庫
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選配件
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自動(dòng)掃描樣品臺(tái)
聚焦透鏡
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注：(1)測量重復(fù)性：是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測量30次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。
欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光譜橢偏儀
來源網(wǎng)址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200087.html
ES01 快速攝譜式自動(dòng)變角度光譜橢偏儀
型號(hào):JX200092ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統(tǒng)
ETSys-Map-PV是針對(duì)高端薄膜太陽
電池研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域中大面積樣品檢測專門設(shè)計(jì)的在
線薄膜測量系統(tǒng)。
ETSys-Map-PV用于對(duì)1.4m * 1.1m及以上的大面積薄膜太陽
電池樣品進(jìn)行在
線檢測?？蓽y量光滑平面或粗糙表面基底上的納米薄膜，包括單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；并可同時(shí)測
量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k?？蓽y量樣品上區(qū)域的樣品參數(shù)以及樣品表面的均一性分布。
ETSys-Map-PV融合量拓科技在激光
橢偏儀及光伏在太陽能
電池領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面的經(jīng)驗(yàn)，性能。
特點(diǎn):
大面積絨面樣品上全表面測量
可對(duì)大面積絨面薄膜太陽
電池樣品上各點(diǎn)的性質(zhì)進(jìn)行分析和比較。的光能量增強(qiáng)技術(shù)、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號(hào)處理方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)粗糙表面散射為主和低反射率為特征的絨面太陽
電池表面鍍層的高靈敏檢測。
微米量級(jí)的積掃描精度
的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能夠使探頭到達(dá)樣品上每個(gè)點(diǎn)，掃描精度達(dá)到微米量級(jí)。
原子層量級(jí)的膜厚分析精度
采用非接觸、無破壞性的橢偏測量技術(shù)，對(duì)納米薄膜達(dá)到高的測量準(zhǔn)確度和靈敏度，膜厚測量靈敏度可達(dá)到0.05nm。
簡單方便安全的儀器操作
用戶只需一個(gè)
按鈕即可完成復(fù)雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進(jìn)行測量設(shè)置。
應(yīng)用:
ETSys-Map-PV適合于要求的薄膜太陽
電池研發(fā)和質(zhì)量控制。
ETSys-Map-PV可用于測量大面積的薄膜太陽
電池樣品上單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；
ETSys-Map-PV可用于測
量塊狀材料的折射率n及消光系數(shù)k；
ETSys-Map-PV可應(yīng)用于：
大面積薄膜太陽
電池基底的材料測量
薄膜太陽
電池玻璃基底上透明導(dǎo)電氧化物（TCO）鍍膜測量
技術(shù)指標(biāo):
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項(xiàng)目
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技術(shù)指標(biāo)
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系統(tǒng)型號(hào)
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ETSys-Map-PV
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結(jié)構(gòu)類型
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在線式
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激光波長
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632.8nm (He-Ne laser)
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膜厚測量重復(fù)性（1）
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0.05nm (對(duì)于Si基底上100nm的SiO2膜層)
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折射率n精度（1）
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5x10-4 (對(duì)于Si基底上100nm的SiO2膜層)
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結(jié)構(gòu)
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PSCA
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激光光束直徑
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~1 mm
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入射角度
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60°-75°可選
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樣品放置
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放置方式：水平
運(yùn)動(dòng)：X軸單方向運(yùn)動(dòng)
運(yùn)動(dòng)范圍：>1.4m
三維平移調(diào)節(jié)
二維俯仰調(diào)節(jié)
可對(duì)樣品進(jìn)行掃描測量
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樣品臺(tái)尺寸
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1.4m*1.1m，并可定制。
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測量速度
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典型0.6s-4s /點(diǎn)（取決于樣品種類及測量設(shè)置）
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的膜層厚度測量范圍
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光滑平面樣品：透明薄膜可達(dá)4000nm，吸收薄膜與材料性質(zhì)相關(guān)
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選配件
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樣品監(jiān)視系統(tǒng)
自動(dòng)樣品上片系統(tǒng)
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注：（1）測量重復(fù)性：是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測量25次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。
性能保證
高穩(wěn)定性的He-Ne激光
光源、的采樣方法以及低噪聲探測技術(shù)，保證了系統(tǒng)的高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度
穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠的樣品方位對(duì)準(zhǔn)，結(jié)合的采樣技術(shù)，保證了快速、穩(wěn)定測量
一體化集成式的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高
一鍵式軟件設(shè)計(jì)以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫，方便用戶使用
可選
配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標(biāo)片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標(biāo)片
欄目頁面:http://www.runlian365.com/product/4516.html
光譜橢偏儀
來源網(wǎng)址:http://www.runlian365.com/chanpin/xx-200092.html
ETSys-Map-PV在線薄膜測量系統(tǒng)
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