ATOS電磁閥容易受到的六種腐蝕總結(jié)
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ATOS電磁閥容易受到的六種腐蝕總結(jié)
造成ATOS電磁閥失效的原因主要就是因?yàn)樵谑褂玫倪^程中蝶閥閥體受到腐蝕所導(dǎo)致的。那么閥門都會(huì)受到哪些形式的腐蝕呢？又該如何進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng)處理呢？
1、ATOS電磁閥當(dāng)保護(hù)膜被破壞或腐蝕產(chǎn)物層分解，就是產(chǎn)生局部腐蝕或點(diǎn)蝕發(fā)生。膜破裂形成陽極和而未破裂的膜或腐蝕產(chǎn)物作為陰極，實(shí)際上已經(jīng)建立了一個(gè)封閉的電路。在氯離子存在下，一些不銹鋼易點(diǎn)蝕。腐蝕發(fā)生時(shí)，在金屬表面或粗糙部位，由于這些不為均勻性。
2、ATOS電磁閥這種情況都是發(fā)生在縫隙中，縫隙阻礙了氧氣的擴(kuò)散，造成高和低的氧區(qū)域，形成溶液濃度的差異。特別是連接件或焊接接頭缺陷處可能出現(xiàn)狹窄的縫隙，其縫寬（一般在0.025~0.1mm）足以使電解質(zhì)溶液進(jìn)入，使縫內(nèi)金屬與縫外金屬構(gòu)成短路原電池，并且在縫內(nèi)發(fā)生強(qiáng)烈的腐蝕的局部腐蝕。
3、ATOS電磁閥腐蝕發(fā)生的原因有多種。結(jié)果幾乎是沿著金屬晶粒邊界相同，機(jī)械性質(zhì)的破壞。如果沒有適當(dāng)?shù)臒崽幚砘蚪佑|致敏800-1500°華氏溫度的奧氏體不銹鋼的晶間腐蝕是受許多腐蝕劑（427-816°C）。這種情況可通過預(yù)退火和淬火消除2000°F（1093°C），采用低碳不銹鋼（c-0.03 max）或穩(wěn)定型鈮或鈦。
4、高溫腐蝕
為了預(yù)測(cè)高溫氧化的影響，我們需要檢測(cè)這些數(shù)據(jù)：金屬組合物、氣氛組成、溫度、曝光時(shí)間。但是，眾所周知的是，大多數(shù)輕金屬（那些比它們的氧化物輕）形成一個(gè)非保護(hù)性的氧化物層，隨著時(shí)間的推移越來越厚，就會(huì)脫落。也有其他形式的高溫腐蝕包括硫化、滲碳等等。
5、電腐蝕
當(dāng)兩個(gè)不同的金屬是在接觸和暴露于腐蝕性的液體和電解質(zhì)，形成原電池，電流使陽極件腐蝕增加電流。腐蝕通常是局部的接觸點(diǎn)附近。減少腐蝕可以通過電鍍異種金屬的方法實(shí)現(xiàn)。
6、摩擦腐蝕
從磨損斷裂的物理力，通過保護(hù)性腐蝕溶解金屬。效果主要取決于力和速度。過大的振動(dòng)或金屬?gòu)澢部梢杂蓄愃频慕Y(jié)果。氣蝕是腐蝕泵的一種常見形式，應(yīng)力腐蝕開裂 高拉伸應(yīng)力與腐蝕性氣氛都會(huì)造成金屬腐蝕。
在靜載作用下金屬表面的拉伸應(yīng)力超過金屬的屈服點(diǎn)，腐蝕作用集中應(yīng)力作用的區(qū)域，結(jié)果顯示為一個(gè)局部腐蝕。在金屬交替腐蝕和建立高應(yīng)力集中的零部件，避免這種腐蝕可以通過早期的應(yīng)力消除退火，或者選用適當(dāng)?shù)暮辖鸩牧虾驮O(shè)計(jì)方案。腐蝕疲勞 我們通常會(huì)把靜態(tài)應(yīng)力與腐蝕聯(lián)系起來。
腐蝕疲勞，我們通常會(huì)把靜態(tài)應(yīng)力與腐蝕聯(lián)系起來。應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致腐蝕開裂，循環(huán)荷載會(huì)導(dǎo)致疲勞腐蝕。疲勞腐蝕都是在非腐蝕性條件下的超過疲勞極限而產(chǎn)生的。令人驚訝的是，這兩種腐蝕同時(shí)存在的的話，危害性大。
我們應(yīng)該找出造成泄漏的原因，造成ATOS電磁閥泄漏主要由兩個(gè)原因，一個(gè)是因?yàn)槊芊饷嫔嫌虚g隙，另一個(gè)是由于密封兩側(cè)有壓力差。
ATOS電磁閥只要我們消除或者減小這兩個(gè)方面的其中一個(gè)就可以阻止或者減少泄漏，但一般情況下，消除間隙是我們主要防止泄漏的途徑，那下面我們就來了解一下高性能蝶閥填料密封的原理。
填料裝入填料腔內(nèi)，經(jīng)壓蓋對(duì)其做軸向壓縮，當(dāng)軸與填料有相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，由于填料的塑性，使其產(chǎn)生徑向力，并與軸緊密接觸。與此同時(shí)填料中浸漬的潤(rùn)滑劑被擠出，在接觸面間形成油膜。
由于接觸狀態(tài)并不是十分均勻，接觸部位便出現(xiàn)“邊界潤(rùn)滑”狀態(tài)，稱之為“軸承效應(yīng)”，而未接觸的凹部形成小油槽，有較厚的油膜，接觸部位與非接觸部位組成一道不規(guī)則的迷宮，起阻止泄漏的作用，此稱為“迷宮效應(yīng)”。
這就是填料的機(jī)理。顯然良好的密封在于維持“軸承效應(yīng)”和“迷宮效應(yīng)”，也就是說要維持良好的潤(rùn)滑和適當(dāng)?shù)膲壕o。若潤(rùn)滑不良，或壓得過緊都會(huì)使油膜中斷，造成填料和軸之間干摩擦，zui后導(dǎo)致燒軸或出現(xiàn)嚴(yán)重磨損。
ATOS電磁閥為此，需要經(jīng)常對(duì)填料的壓緊程度進(jìn)行調(diào)整，以便填料中的潤(rùn)滑劑在運(yùn)行一段時(shí)間后流失，同時(shí)補(bǔ)償填料因體積變化所造成的壓緊力松弛，顯然，這樣經(jīng)常擠壓填料，終將使浸漬劑枯竭，所以定期換填料是必要的。此外為了維持液膜和帶走摩擦熱，有意讓填料處有少量泄漏是必要的。
對(duì)于閥門來說重要的一項(xiàng)檢測(cè)就是產(chǎn)品試壓。試壓就是測(cè)試閥門所能承受的壓力值是否符合生產(chǎn)規(guī)定要求，那么在試壓的時(shí)候都應(yīng)該遵守哪些原則和注意事項(xiàng)呢？
1、液壓試驗(yàn)時(shí)就將閥門空氣盡量排除。
2、試驗(yàn)時(shí)，閥門安裝位置應(yīng)在容易進(jìn)行檢查的方向。
3、ATOS電磁閥閥門安裝之彰應(yīng)作強(qiáng)度和密封性試驗(yàn)。低壓閥門抽查20%，如不合格應(yīng)的檢查；中、高壓閥門應(yīng)的檢查。
4、鑄鐵閥門強(qiáng)度試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)用銅錘輕敲閥體和閥蓋，檢查有否滲漏。
5、節(jié)流閥不作關(guān)閉件密封性試驗(yàn)，但應(yīng)作強(qiáng)度試驗(yàn)及填料和墊片處的密封性試驗(yàn)。
6、焊接連接形式的閥門，用肓板試壓不行時(shí)可采用錐形密封或O型圈密封進(jìn)行試壓。
7、ATOS電磁閥閥門試壓完畢后，應(yīng)及時(shí)排除閥內(nèi)積水并擦干凈，還應(yīng)作好試驗(yàn)記錄。
8、具有上密封的閥門應(yīng)取出填料作密封性試驗(yàn)，上密封官合后，檢查是否滲漏。用氣體作試驗(yàn)時(shí)，在填料函中盛水檢查。作填料密封性試驗(yàn)時(shí)，不允許上密封處于密位置。
9、ATOS電磁閥閥門進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)，除旋塞閥有規(guī)定允許密封面涂油外，其他閥門不允許在密封面上涂油試驗(yàn)。
10、凡具有驅(qū)動(dòng)裝置的閥門，試驗(yàn)其密封性時(shí)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)裝置關(guān)閉閥門拮進(jìn)行密封性試驗(yàn)。對(duì)手動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置，還應(yīng)進(jìn)行用動(dòng)關(guān)閉閥門的密封試驗(yàn)。
11、試驗(yàn)時(shí)壓力要逐漸增高，不允許急劇、突然地增壓。
12、試壓中，閥門關(guān)閉力只允許一個(gè)人的正常體力來關(guān)閉；不得借助杠桿之類工具加力(除扭矩扳手外)，當(dāng)手輪的直徑大于等到于320mm時(shí)，允許兩人共同關(guān)閉。
造成ATOS電磁閥失效的原因主要就是因?yàn)樵谑褂玫倪^程中蝶閥閥體受到腐蝕所導(dǎo)致的。那么閥門都會(huì)受到哪些形式的腐蝕呢？又該如何進(jìn)行維護(hù)保養(yǎng)處理呢？
1、ATOS電磁閥當(dāng)保護(hù)膜被破壞或腐蝕產(chǎn)物層分解，就是產(chǎn)生局部腐蝕或點(diǎn)蝕發(fā)生。膜破裂形成陽極和而未破裂的膜或腐蝕產(chǎn)物作為陰極，實(shí)際上已經(jīng)建立了一個(gè)封閉的電路。在氯離子存在下，一些不銹鋼易點(diǎn)蝕。腐蝕發(fā)生時(shí)，在金屬表面或粗糙部位，由于這些不為均勻性。
2、ATOS電磁閥這種情況都是發(fā)生在縫隙中，縫隙阻礙了氧氣的擴(kuò)散，造成高和低的氧區(qū)域，形成溶液濃度的差異。特別是連接件或焊接接頭缺陷處可能出現(xiàn)狹窄的縫隙，其縫寬（一般在0.025~0.1mm）足以使電解質(zhì)溶液進(jìn)入，使縫內(nèi)金屬與縫外金屬構(gòu)成短路原電池，并且在縫內(nèi)發(fā)生強(qiáng)烈的腐蝕的局部腐蝕。
3、ATOS電磁閥腐蝕發(fā)生的原因有多種。結(jié)果幾乎是沿著金屬晶粒邊界相同，機(jī)械性質(zhì)的破壞。如果沒有適當(dāng)?shù)臒崽幚砘蚪佑|致敏800-1500°華氏溫度的奧氏體不銹鋼的晶間腐蝕是受許多腐蝕劑（427-816°C）。這種情況可通過預(yù)退火和淬火消除2000°F（1093°C），采用低碳不銹鋼（c-0.03 max）或穩(wěn)定型鈮或鈦。
4、高溫腐蝕
為了預(yù)測(cè)高溫氧化的影響，我們需要檢測(cè)這些數(shù)據(jù)：金屬組合物、氣氛組成、溫度、曝光時(shí)間。但是，眾所周知的是，大多數(shù)輕金屬（那些比它們的氧化物輕）形成一個(gè)非保護(hù)性的氧化物層，隨著時(shí)間的推移越來越厚，就會(huì)脫落。也有其他形式的高溫腐蝕包括硫化、滲碳等等。
5、電腐蝕
當(dāng)兩個(gè)不同的金屬是在接觸和暴露于腐蝕性的液體和電解質(zhì)，形成原電池，電流使陽極件腐蝕增加電流。腐蝕通常是局部的接觸點(diǎn)附近。減少腐蝕可以通過電鍍異種金屬的方法實(shí)現(xiàn)。
6、摩擦腐蝕
從磨損斷裂的物理力，通過保護(hù)性腐蝕溶解金屬。效果主要取決于力和速度。過大的振動(dòng)或金屬?gòu)澢部梢杂蓄愃频慕Y(jié)果。氣蝕是腐蝕泵的一種常見形式，應(yīng)力腐蝕開裂 高拉伸應(yīng)力與腐蝕性氣氛都會(huì)造成金屬腐蝕。
在靜載作用下金屬表面的拉伸應(yīng)力超過金屬的屈服點(diǎn)，腐蝕作用集中應(yīng)力作用的區(qū)域，結(jié)果顯示為一個(gè)局部腐蝕。在金屬交替腐蝕和建立高應(yīng)力集中的零部件，避免這種腐蝕可以通過早期的應(yīng)力消除退火，或者選用適當(dāng)?shù)暮辖鸩牧虾驮O(shè)計(jì)方案。腐蝕疲勞 我們通常會(huì)把靜態(tài)應(yīng)力與腐蝕聯(lián)系起來。
腐蝕疲勞，我們通常會(huì)把靜態(tài)應(yīng)力與腐蝕聯(lián)系起來。應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致腐蝕開裂，循環(huán)荷載會(huì)導(dǎo)致疲勞腐蝕。疲勞腐蝕都是在非腐蝕性條件下的超過疲勞極限而產(chǎn)生的。令人驚訝的是，這兩種腐蝕同時(shí)存在的的話，危害性大。
我們應(yīng)該找出造成泄漏的原因，造成ATOS電磁閥泄漏主要由兩個(gè)原因，一個(gè)是因?yàn)槊芊饷嫔嫌虚g隙，另一個(gè)是由于密封兩側(cè)有壓力差。
ATOS電磁閥只要我們消除或者減小這兩個(gè)方面的其中一個(gè)就可以阻止或者減少泄漏，但一般情況下，消除間隙是我們主要防止泄漏的途徑，那下面我們就來了解一下高性能蝶閥填料密封的原理。
填料裝入填料腔內(nèi)，經(jīng)壓蓋對(duì)其做軸向壓縮，當(dāng)軸與填料有相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，由于填料的塑性，使其產(chǎn)生徑向力，并與軸緊密接觸。與此同時(shí)填料中浸漬的潤(rùn)滑劑被擠出，在接觸面間形成油膜。
由于接觸狀態(tài)并不是十分均勻，接觸部位便出現(xiàn)“邊界潤(rùn)滑”狀態(tài)，稱之為“軸承效應(yīng)”，而未接觸的凹部形成小油槽，有較厚的油膜，接觸部位與非接觸部位組成一道不規(guī)則的迷宮，起阻止泄漏的作用，此稱為“迷宮效應(yīng)”。
這就是填料的機(jī)理。顯然良好的密封在于維持“軸承效應(yīng)”和“迷宮效應(yīng)”，也就是說要維持良好的潤(rùn)滑和適當(dāng)?shù)膲壕o。若潤(rùn)滑不良，或壓得過緊都會(huì)使油膜中斷，造成填料和軸之間干摩擦，zui后導(dǎo)致燒軸或出現(xiàn)嚴(yán)重磨損。
ATOS電磁閥為此，需要經(jīng)常對(duì)填料的壓緊程度進(jìn)行調(diào)整，以便填料中的潤(rùn)滑劑在運(yùn)行一段時(shí)間后流失，同時(shí)補(bǔ)償填料因體積變化所造成的壓緊力松弛，顯然，這樣經(jīng)常擠壓填料，終將使浸漬劑枯竭，所以定期換填料是必要的。此外為了維持液膜和帶走摩擦熱，有意讓填料處有少量泄漏是必要的。
對(duì)于閥門來說重要的一項(xiàng)檢測(cè)就是產(chǎn)品試壓。試壓就是測(cè)試閥門所能承受的壓力值是否符合生產(chǎn)規(guī)定要求，那么在試壓的時(shí)候都應(yīng)該遵守哪些原則和注意事項(xiàng)呢？
1、液壓試驗(yàn)時(shí)就將閥門空氣盡量排除。
2、試驗(yàn)時(shí)，閥門安裝位置應(yīng)在容易進(jìn)行檢查的方向。
3、ATOS電磁閥閥門安裝之彰應(yīng)作強(qiáng)度和密封性試驗(yàn)。低壓閥門抽查20%，如不合格應(yīng)的檢查；中、高壓閥門應(yīng)的檢查。
4、鑄鐵閥門強(qiáng)度試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)用銅錘輕敲閥體和閥蓋，檢查有否滲漏。
5、節(jié)流閥不作關(guān)閉件密封性試驗(yàn)，但應(yīng)作強(qiáng)度試驗(yàn)及填料和墊片處的密封性試驗(yàn)。
6、焊接連接形式的閥門，用肓板試壓不行時(shí)可采用錐形密封或O型圈密封進(jìn)行試壓。
7、ATOS電磁閥閥門試壓完畢后，應(yīng)及時(shí)排除閥內(nèi)積水并擦干凈，還應(yīng)作好試驗(yàn)記錄。
8、具有上密封的閥門應(yīng)取出填料作密封性試驗(yàn)，上密封官合后，檢查是否滲漏。用氣體作試驗(yàn)時(shí)，在填料函中盛水檢查。作填料密封性試驗(yàn)時(shí)，不允許上密封處于密位置。
9、ATOS電磁閥閥門進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)，除旋塞閥有規(guī)定允許密封面涂油外，其他閥門不允許在密封面上涂油試驗(yàn)。
10、凡具有驅(qū)動(dòng)裝置的閥門，試驗(yàn)其密封性時(shí)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)裝置關(guān)閉閥門拮進(jìn)行密封性試驗(yàn)。對(duì)手動(dòng)驅(qū)動(dòng)裝置，還應(yīng)進(jìn)行用動(dòng)關(guān)閉閥門的密封試驗(yàn)。
11、試驗(yàn)時(shí)壓力要逐漸增高，不允許急劇、突然地增壓。
12、試壓中，閥門關(guān)閉力只允許一個(gè)人的正常體力來關(guān)閉；不得借助杠桿之類工具加力(除扭矩扳手外)，當(dāng)手輪的直徑大于等到于320mm時(shí)，允許兩人共同關(guān)閉。
