該設(shè)備是按照標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便。

 

數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點：

1、 可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管級硅單晶的少子壽命。

2、  可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。

3、配備專用軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態(tài)光電導衰退波形，并可聯(lián)用打印機及計算機。

4、配置兩種波長的紅外光源：

a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。

b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能級硅晶體。

5、測量范圍寬廣

測試儀可直接測量：

a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω?㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。

b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω?㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。